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作为专业的碳化硅晶锭和碳化硅晶片供应商,苏州恒迈瑞公司同时可供应高品质4H碳化硅同质外延片(SiC-on-SiC),碳化硅外延片产品尺寸有4英寸,6英寸及8英寸,导电类型分为N型及P型,N型碳化硅外延片掺杂氮,P型碳化硅外延片掺杂铝。碳化硅同质外延片可用于制作各种功率器件,如肖特基二极管、绝缘双极型...
作为专业的碳化硅晶锭和碳化硅晶片供应商,苏州恒迈瑞公司同时可供应高品质4H碳化硅同质外延片(SiC-on-SiC),碳化硅外延片产品尺寸有4英寸,6英寸及8英寸,导电类型分为N型及P型,N型碳化硅外延片掺杂氮,P型碳化硅外延片掺杂铝。碳化硅同质外延片可用于制作各种功率器件,如肖特基二极管、绝缘双极型晶体管、半导体闸流管、金属氧化物场效应晶体管、结型场效应管、双极性晶体管等。
SiC-on-SiC碳化硅外延片应用
碳化硅外延片是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。从终端应用层上来看在碳化硅材料在高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变、工业机电、数据中心、白色家电、消费电子、5G通信、次世代显示等领域有着广泛的应用,市场潜力巨大。在应用上,分为低压、中压和高压领域:
1. 低压领域
主要是针对一些消费电子,比如说PFC、电源;举例子:小米和华为推出来快速充电器,所采用的器件就是氮化镓器件。
主要是汽车电子和3300V以上的轨道交通和电网系统。举例子:特斯拉是使用碳化硅器件最早的一个汽车制造商,使用的型号是model3。
3.中低压领域
SiC Wafer Manufacturer Production Analysis
Silicon Carbide SiC Wafer Polishing New Direction
SiC Boules and SiC Substrates industry chain
碳化硅晶锭切割方式
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