碳化硅籽晶毛坯料晶锭

苏州恒迈瑞公司致力于为国内外客户提供碳化硅晶锭及碳化硅籽晶毛坯料晶锭，导电N型碳化硅晶锭尺寸为4英寸至8英寸，半绝缘SI型碳化硅晶锭为4英寸至6英寸。碳化硅籽晶毛坯料晶锭即长晶炉生长后未进行头尾切片，滚圆，磨平等加工工序，带有籽晶弧度球面，可用于设备检测测试。

碳化硅（SiC）作为重要的第三代半导体材料之一，在高温、高频、高功率、抗辐射等方面具有优秀的性能。物理气相传输法作为发展最早的SiC晶体生长方法，是目前生长SiC晶体最为主流的生长方法。该方法相较其它方法对生长设备要求低，生长过程简单，可控性强，发展研究较为透彻，已经实现了产业化应用。

该方法是通过控制石墨坩埚外部保温条件实现对轴向与径向温场的调控。将SiC粉料置于温度较高的石墨坩埚底端，SiC籽晶固定在温度较低的石墨坩埚顶。一般控制粉料与籽晶之间的距离为数十毫米以避免生长的单晶晶体与粉料接触。温度梯度通常在15-35℃/cm区间范围内。炉内会保留50-5000 Pa压强的惰性气体以便增加对流。在通过感应加热的方法将SiC粉料加热到2000-2500℃后，SiC粉料会升华分解为Si、Si₂C、SiC₂等气相成分，随着气体对流被运输到籽晶端，并在籽晶上结晶出SiC晶体，实现单晶生长。其典型的生长速率为0.1-2 mm/h。