碳化硅坯料晶锭

作为碳化硅晶锭和碳化硅衬底晶片生产厂商，苏州恒迈瑞公司亦可为有需求的客户提供碳化硅籽晶坯料，即碳化硅生长晶后未进行加工的原始碳化硅晶锭，带有籽晶弧度球面，用于测试弧度球面的面形和缺陷，同时测试碳化硅Si面缺陷。碳化硅籽晶是晶体生长的基底，为晶体生长提供基础晶格结构，同样也是决定晶体质量的核心原料。籽晶位于反应器内部或原料上方。 

物理气相传输法（PVT）

物理气相传输法（PVT）主要包含三个步骤：SiC源的升华、升华物质的运输、表面反应和结晶。
● 晶体生长时，通过改变石墨坩埚上保温材料散热孔的大小和形状，使生长室内形成15-35℃/cm区间范围的温度梯度，SiC原料处于高温区，籽晶处于低温区，炉内会保留50-5000Pa压强的惰性气体以便增加对流；
● 然后通过感应加热或电阻加热将坩锅内的温度升至 2000-2500℃， SiC原料升华产生的气相 Si2C、SiC2和 Si 在温度梯度的作用下从原料表面传输到低温籽晶处，结晶成块状晶体。

在晶体生长中，对多型体的控制也是一个很大的挑战。研究发现多型体的稳定性与生长环境、籽晶的极性、掺杂杂质等多个因素有关系。在超过2400℃的物理气相传输法中，6H-SiC和4H-SiC都是常见的多型体。碳化硅材料具有宽禁带、高热导率、高临界击穿场强、高饱和电子漂移速率的优点，在半导体制造领域具有巨大的应用前景。