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作为导电型碳化硅晶锭厂家,恒迈瑞公司生产6英寸N型导电型碳化硅晶锭晶棒,分为D级测试级与P级产品级。测试级导电型碳化硅晶锭可用于测试电镀磨料砂轮研磨,金属结合剂砂轮抛光,金刚石倒角砂轮-等碳化硅切割片研磨,抛光,倒角工艺。单个晶锭厚度20mm左右
作为导电型碳化硅晶锭厂家,恒迈瑞公司生产6英寸N型导电型碳化硅晶锭晶棒,分为D级测试级与P级产品级。测试级导电型碳化硅晶锭可用于测试电镀磨料砂轮研磨,金属结合剂砂轮抛光,金刚石倒角砂轮-等碳化硅切割片研磨,抛光,倒角工艺。单个晶锭厚度20mm左右,欢迎碳化硅加工设备及耗材生产厂商联系获取报价及详细规格。
目前SiC碳化硅晶锭的生长方法主要有物理气相传输法(Physical Vapor Transport Method, PVT法)、高温化学气相沉积法(High Temperature Chemical Vapor Deposition, HTCVD法)、液相法(Liquid Phase Method)等。其中,PVT法是已发展较为成熟,更适用于产业化批量生产的方法。
导电型衬底在功率器件中得到广泛应用,下游市场包括新能源汽车、光伏、高铁、工业电源等领域。导电型碳化硅衬底主要应用于制造功率器件,功率器件是电力电子行业的重要基础元器件之一,广泛应用于电力设备的电能转化和电路控制等领域,涉及经济与生活的方方面面。碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,较好地契合功率器件的要求,因而在近年被快速推广应用,例如新能源汽车、光伏发电等领域。
碳化硅晶锭出货包装
SiC Wafer Manufacturer Production Analysis
Silicon Carbide SiC Wafer Polishing New Direction
SiC Boules and SiC Substrates industry chain
碳化硅晶锭切割方式
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