半绝缘碳化硅晶锭HPSI

作为第三代半导体碳化硅晶锭供应商，恒迈瑞为国内外新老客户生长供应HPSI半绝缘碳化硅晶锭。晶锭尺寸为100mm4英寸及150mm6英寸，单个晶锭厚度10-20mm,采用PVT法生长碳化硅晶锭。测试D级碳化硅晶锭可用于激光切割机（水导激光冷切割，隐形激光切割，激光冷剥离）设备测试，产品P级可切割后生产加工产品级碳化硅衬底晶片。欢迎来电咨询与报价。

碳化硅晶锭生长方法简述

物理气相传输法主要原理是升华——气体转移——再生成过程（1）将高纯碳化硅粉料置于单晶炉内的石墨坩埚底部，并将碳化硅籽晶粘结在坩埚盖内部。（2）通过电磁感应加热或电阻加热的方式令坩埚内的温度升高至2000℃以上，并在坩埚内形成轴向温度梯度，使籽晶处的温度略低于粉料处。（3）碳化硅粉料分解成硅原子、SiC2 分子以及 Si2C 分子等气相物质，在温度梯度的驱动下从高温区（粉料）向低温区（籽晶）输送，在籽晶的碳面上按照籽晶的晶型进行有规律的原子排列，使晶体逐渐增厚，进而生长成碳化硅晶锭。

碳化硅晶锭与硅晶棒生长区别

①晶锭生长缓慢：PVT法生长碳化硅晶锭的速度缓慢，7天才能生长不到5厘米，而传统硅材一般生产2~3米的硅晶棒仅需3~4天；②单晶生长环境要求高：单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在2000℃~2500℃之间，而传统硅材仅需1600℃左右，碳化硅单晶对设备和工艺控制带来了极高的要求，温度和压力控制稍有失误，就会导致产品生长失败；③晶型要求高、良率低：碳化硅有约220种晶型，其中六方结构的4H型（4H-SiC）碳化硅才是所需材料，在晶体生长过程中需要精确控制硅碳比、生长温度梯度、晶体生长速率以及气流气压等；