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作为碳化硅晶锭生产厂家,HMT致力于为国内外客户生长供应碳化硅晶棒晶锭,尺寸涵盖4英寸及目前主流的6英寸。我司碳化硅晶锭已完成滚圆/双面磨平工序,广泛应用于水导激光冷切割,隐形激光切割,激光冷剥离等设备测试。欢迎有碳化硅激光切割设备测试厂家联系获取技术参数及报价。
作为碳化硅晶锭生产厂家,HMT致力于为国内外客户生长供应碳化硅晶棒晶锭,尺寸涵盖4英寸及目前主流的6英寸。我司碳化硅晶锭已完成滚圆/双面磨平工序,广泛应用于水导激光冷切割,隐形激光切割,激光冷剥离等设备测试。欢迎有碳化硅激光切割设备测试厂家联系获取技术参数及报价。
碳化硅晶锭产品及包装图片
冷切割(Cold Split)晶圆技术,就是采用了超快激光器(皮秒、飞秒的低热损伤)技术,不仅能将碳化硅晶锭分割成晶圆,而且每片晶圆损失低至80μm(最终形成的切割道缝隙),使材料损失也大大减少,最终使得功率器件的总生产成本降低下来,这个技术就是典型的使用了超快激光(皮秒、飞秒)的技术路径。
冷切割技术分为两个步骤:先用聚焦后的激光照射晶锭形成剥落层,使碳化硅(SiC)材料内部体积瞬间发生分子的破裂膨胀,从而产生一定方向的拉伸应力而产生非常窄的微裂纹(沿着一定的晶向方向);然后快速冷却方法将微裂纹处理为一个主裂纹,最终将晶圆与剩余的晶锭分开。
SiC Wafer Manufacturer Production Analysis
Silicon Carbide SiC Wafer Polishing New Direction
SiC Boules and SiC Substrates industry chain
碳化硅晶锭切割方式
Contact: Mr.Kimrui
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