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作为碳化硅晶锭晶棒的供应商,恒迈瑞可以生长测试D级碳化硅晶锭晶棒用于激光切割机(水导激光冷切割,隐形激光切割,激光冷剥离)& 6英寸半绝缘SI型碳化硅晶锭-用于测试电镀磨料砂轮研磨,金属结合剂砂轮抛光,金刚石倒角砂轮-等碳化硅切割片研磨,抛光,倒角工艺。
作为碳化硅晶锭晶棒的供应商,恒迈瑞可以生长测试D级碳化硅晶锭晶棒用于激光切割机(水导激光冷切割,隐形激光切割,激光冷剥离)& 6英寸半绝缘SI型碳化硅晶锭-用于测试电镀磨料砂轮研磨,金属结合剂砂轮抛光,金刚石倒角砂轮-等碳化硅切割片研磨,抛光,倒角工艺。
碳化硅(SiC),碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率高功率器件。该材料具有高出传统硅数倍的禁带、漂移速度、击穿电压、热导率、耐高温等优良特性,在高温、高压、高频、大功率、光电、抗辐射、微波性等电子应用领域和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势,特别是现在被大家广泛使用的电动汽车领域和快充领域。
水导激光切割技术,又称激光微射流技术,它的原理是在激光通过一个压力调制的水腔时,将激光束聚焦在一个极小的喷嘴上,从喷嘴中喷出高压水柱,在水与空气的界面处由于折射率的原理从而形成激光的传导,使得激光沿水流方向运动,从而通过高压水射流引导加工材料表面进行切割。目前国际上主要的激光水柱集中在150mm-200mm左右,对大尺寸的碳化硅(SiC)晶锭切割,还有一定的技术瓶颈,但是,6寸以内的已无技术瓶颈。
水导激光的主要优势在于切割质量(切割端面的粗糙度),水流不仅能冷却切割区,降低材料热变形和热损伤,还能带走加工碎屑,相较金刚线切割,它的速度明显加快,且端面粗糙度普遍集中在Ra<1μm范围内。但由于水对不同波长的激光吸收率不同,目前最主要的应用是532nm的绿激光,即使使用绿光激光器,其传导率也基本上只有40%的激光功率。
SiC Wafer Manufacturer Production Analysis
Silicon Carbide SiC Wafer Polishing New Direction
SiC Boules and SiC Substrates industry chain
碳化硅晶锭切割方式
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