碳化硅切割晶圆片

苏州恒迈瑞公司致力于碳化硅晶锭及衬底材料生长供应，并批量提供4英寸6英寸及8英寸碳化硅晶锭切割毛片。何为碳化硅晶锭切割片？即碳化硅晶锭经切片后的晶圆片，该切割晶圆片未做研磨及抛光工序，可应用于电镀磨料砂轮研磨，金属结合剂砂轮抛光，金刚石倒角砂轮-等碳化硅切割片的研磨，抛光，倒角工艺测试。

SIC晶体具有与GaN材料高匹配的晶格常数和热膨胀系数以及优良的热导率，是GaN基的理想衬底材料，如LED,LD。因此，SiC衬底加工技术是器件制作的重要基础，其表面加工的质量和精度，直接会影响外延薄膜的质量以及器件的性能，所以碳化硅衬底材料的加工要求晶片表面超光滑，无缺陷，无损伤，表面粗糙度在纳米以下。
 

碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。

研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层，修复切割产生的变形。由于SiC的高硬度，研磨过程中必须使用高硬度的磨料（如碳化硼或金刚石粉）研磨SiC切片的晶体表面。

常规的研磨工艺一般分为粗磨和精磨。

1)常规双面磨工艺

a)粗磨：采用铸铁盘+单晶金刚石研磨液双面研磨的方式

该工艺可以有效的去除线割产生的损伤层，修复面型，降低TTV，Bow，Warp，去除速率稳定，一般能达到0.8-1.2um/min的去除率。但该工艺加工后的晶片表面是亚光面, 粗糙度较大，一般在50nm左右，对后工序的去除要求较高。

b)精磨：采用聚氨酯发泡Pad+多晶金刚石研磨液双面研磨的方式

该工艺加工后的晶片表面粗糙度低，能达到Ra<3nm，这更有利于碳化硅衬底片后工序的抛光，但划伤不良一直存在。且该工艺使用的是爆炸法工艺制备的多晶金刚石，其生产难度大，产量低，价格极高。