碳化硅切割片

作为碳化硅晶锭厂家，恒迈瑞公司也为国内外客户供应高品质SiC碳化硅切割晶片，导电型碳化硅切割片厚度440um左右，半绝缘型As-cut切割片厚度600um左右，广泛应用于碳化硅材料后道电镀磨料砂轮研磨，金属结合剂砂轮抛光，金刚石倒角砂轮-等碳化硅切割片研磨，抛光，倒角工艺的加工测试用。4英寸及6英寸碳化硅切割片均可稳定发货，欢迎有需求的客户来电询价。

碳化硅（４Ｈ－ＳｉＣ）碳化硅晶片加工是制备高品质衬底晶圆的关键工艺，衬底晶圆的表面质量直 接影响外延薄膜以及后续器件的性能。提高４Ｈ－ＳｉＣ碳化硅衬底晶圆表面质量的关键是去除晶片 加工表面损伤层。在４Ｈ－ＳｉＣ晶片加工过程中，影响晶片表面质量的工序主要包括线切割、磨削、研磨和抛光。线切片的面型参数和损伤层深度直接影响整体的加工过程，提高线切片的加工质量，将显著降低后续工序的加工量。磨削和研磨可以有效去除线切损伤层，提高 晶片平整度，在整个加工过程中具有重要作用，合理的组合工艺可以大量节省后续抛光时间。抛光是晶片加工工序后道关键环节，可以去除研磨产生的微划痕以及晶片表面的微凸峰，进一步提高晶片平整度，降低表面粗糙 度，保证衬底晶圆的表面质量以满足外延要求。 

碳化硅(silicon carbide, SiC)作为第三代半导体材料，具有自己独特的性能。SiC的禁带宽度较大，同 时具有热导率高、饱和电子漂移速率高、抗辐射性能强、热稳定性和化学稳定性好等优良特性，在高 温、高频、高功率电力电子器件和射频器件中拥有独特的应用优势，从而在轨道交通、新能源汽车、高 压电网、5G通信、航空航天，以及国防军事等领域具有广阔的应用前景。作为半导体材料领域的研究 热点，科研人员从SiC晶体的生长工艺、生长设备、掺杂机理、原料及衬底外延技术等各个方面进行了全 面研究，使SiC科研领域呈现出百花齐放的态势。