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碳化硅衬底切割技术是将SiC碳化硅晶锭沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶锭切成翘曲度小、厚度均匀的晶片。切割方式和切割质量影响晶片的厚度、粗糙度、尺寸、耗损度及生产成本等。恒迈瑞公司为国内外客户提供碳化硅晶锭,尺寸涵盖4英寸至8英寸导电N型碳化硅晶锭,为激光切割,隐形切割等新型切割设备厂商提供D级测试级SiC晶锭进行切割测试。
目前应用在碳化硅切割行业的是砂浆线切割和金刚石线切割。
砂浆切割切割相比于传统的切割方式,克服了一次只能切割一片的缺点,可以加工较薄的晶圆(切片厚度小于0.3 mm),具有切缝窄、切割厚度均匀、材料损耗小等优点,目前发展成熟,广泛用于单晶和多晶碳化硅片的加工。
金刚石线切割是将高硬度、高耐磨性的金刚石磨粒通过电镀、树脂粘接、钎焊或机械镶嵌等方法固结在切割线上,通过金刚线的高速往返运动,磨粒直接与工件间形成相对的磨削运动,完成对SiC晶锭的切割。
水导激光切割技术(Laser MicroJet,LMJ),又称激光微射流技术。最早是由瑞士Synova西诺瓦公司基于传统钻石切割开发而来。
原理:在激光通过一个压力调制的水腔时,将激光束聚焦在一个极小的喷嘴上,从喷嘴中喷出高压水柱,在水与空气的界面处,通过折射的原理形成激光的传导,使得激光沿水流方向运动,从而通过高压水射流引导加工材料表面进行切割。
目前国际上主要的激水柱集中在150mm-200mm左右,该技术在大尺寸的碳化硅(SiC)晶圆切割上,还有一定的技术瓶颈,但是6寸以内的已无技术瓶颈。
隐形激光切割(Stealth Dicing, SD)包括纳秒级别脉冲激光器的激光隐形切割和超短脉冲激光切割。原理是将激光束透过碳化硅的表面聚焦晶片内部,在所需深度形成改性层,从而实现剥离晶圆。
优点是晶圆表面没有切口,避免了刀具磨损和机械应力的影响,因此可以实现晶圆表面较高的加工精度(一般为±1μm),同时减少了后续的研磨抛光工艺过程,节省时间和材料成本。
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碳化硅晶锭切割方式
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